三星是首間宣布推出3納米制程的芯片廠，當(dāng)時(shí)領(lǐng)先臺(tái)積電搶進(jìn)市場(chǎng)，但盡管如此，蘋(píng)果仍選擇臺(tái)積電生產(chǎn)3納米芯片，三星近兩年內(nèi)也未宣布任何重大合約，不過(guò)該公司仍大力發(fā)展GAA技術(shù)，預(yù)期2025年推出采2納米制程的第三代技術(shù)。
韓媒Business Korea報(bào)道稱，三星是唯一實(shí)現(xiàn)GAA晶體管商業(yè)化的芯片廠，但業(yè)界不一定買(mǎi)單，主要是因?yàn)?022、2023年全球經(jīng)濟(jì)衰退，生產(chǎn)成本高昂，以及僅少數(shù)客戶對(duì)先進(jìn)技術(shù)感興趣。有趣的是，該報(bào)道沒(méi)提到三星在良率的問(wèn)題，這也是蘋(píng)果、Nvidia等客戶轉(zhuǎn)而選擇臺(tái)積電的原因之一。
不過(guò)，三星現(xiàn)在繼續(xù)往下一代先進(jìn)技術(shù)邁進(jìn)，目前傳今年將開(kāi)發(fā)第二代3納米GAA設(shè)計(jì)，于2025年的2納米制程開(kāi)發(fā)第三代設(shè)計(jì)。至于競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手臺(tái)積電將于2025年采用2納米制程，英特爾則是Intel 20A，兩間都將開(kāi)始采用GAA晶體管技術(shù)。
三星GAA設(shè)計(jì)被稱為MCBFET，即多信道橋式FET，類似于納米片設(shè)計(jì)。三星稱，與傳統(tǒng)3納米芯片和自家3納米GAA設(shè)計(jì)相比，第三代產(chǎn)品功率損耗可降達(dá)50%，性能也將得到改善。而報(bào)道也指出，目前三星所需要的只是客戶。
